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計畫名稱:新穎高阻值、高強度、低界面損耗複合式基板上第五代行動通訊用InAlN/GaN異質結構微波場效電晶體磊晶暨元件製程開發

申請機構:環球晶圓股份有限公司

學研機構:長庚大學

計畫執行期程:107/05/01~108/04/30

計畫摘要

近期幾年隨著「數位匯流」的需求量增加與快速發展,通訊科技產業絕對是扮演其中相當關鍵的技術,未來將專注於物聯網 以及大數據的資料分析等應用,都需要有海量資料的收集以及設備之間需透過一連串無線傳遞給伺服器進行設備之間的溝通,這些因素促使「第五代行動通訊」成為全球科技近年來主要的發展目標。此計畫主要目包括標解決國內開發第五代行動通訊用GaN/Si所遭遇的問題以及提供新穎性磊晶結構及複合基板結構,滿足第五代行動通訊高效率低耗損要求。

此計畫研發之基板、磊晶及元件製程之特點除了RF應用特性外,也可應用於Power上,增加競爭力,此計畫主要針對RF需求研發,其應用包含未來5G通訊,使通訊流量更迅速,交流更便利,以及互連網,讓民生用品、醫療、運輸等等皆可以資訊收集集中管理。Power部份則主要針對未來汽車、及環境綠能為應用。