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計畫名稱:開發300mm超平坦度矽晶圓片於10奈米以下製程之應用

申請機構:中德電子材料股份有限公司

學研機構:國立中央大學

計畫執行期程:107/05/01~108/04/30

計畫摘要

半導體相關產業無疑是台灣目前最重要的經濟發展指標之一,以目前的製程能力而言,28奈米以上的平面CMOS製程全世界各大半導體公司都已經相當成熟。近年來各尖端半導體公司如Intel/TSMC/Samsung更導入鰭式電晶體(FinFET)於16/14/12/10/7奈米製程,進一步開發閘極全環(Gate-all-around)的5/3奈米製程。此先進製程的演進需著眼於矽晶圓品質的改善上,其中超平坦度的開發尤為重要。

本計畫緣起為本公司是台灣唯一可以從12吋單晶成長、晶圓成型、晶圓磊晶完全自給自足的本土廠商,對於各半導體之先進奈米製程開發參與亦不遺餘力。於此著眼於晶圓超平坦度開發之兩大方向,精準拋光控制技術之自主開發與優化,以及與學研機構合作磊晶承載盤與石英腔體上蓋之優化設計,目標為開發適用之超平坦度規格使300mm矽晶圓片於10奈米以下製程應用。

本計畫所著重之10奈米以下半導體製程更與先進的電子元件息息相關,現行生活中的半導體產品設計愈與低耗能、高效率發展,微縮化的半導體製程才能在有限的矽晶圓基板上置入更多的積體電路,以符合現行趨勢,其直接影響生活中消費性電子產品的發展,更與當前全世界的重點發展項目人工智慧(Artificial intelligence, AI)以及物聯網(Internet of Things, IoT)直接相關。目前已知國外數間大型晶片設計公司的產品,都採用10奈米以下半導體製程以達成AI及IoT嚴格的運算速度及節能要求。