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計畫名稱:開發用於氮化鎵高耐壓增強型高速電子遷移率電晶體之新型SOI(AlN)基板

申請機構:環球晶圓股份有限公司

學研機構:國立交通大學

計畫執行期程:106/05/01~107/04/30

計畫摘要

  本計畫將基於環球晶圓已具備的SOI基板技術,發展合適於GaN高功率HEMT磊晶結構的新型SOI(AlN)基板,將GaN高功率HEMT結構磊晶於此新型SOI(AlN)基板。GaN HEMT結構磊晶於新型SOI(AlN)基板,不但可阻擋向基板的漏電,提高崩潰電壓,更由於緩衝層結構可不需於低壓、低五三比條件下成長,預期將具備較佳之元件動態特性,且因使用高導熱的AlN作為絕緣層,將改善一般SOI散熱不良缺點。交通大學則將發展六吋、可評估量產之GaN-on-SOI E-mode元件製程,可驗證環球晶圓磊晶品質、均勻度。以E-mode元件作為驗證平台,不但協助產業發展前瞻性產品,更可協助布局專利,完成前瞻性、具開創性的產品開發。
本計畫要完成的重要指標如下:
1. 發展合適於GaN高功率HEMT磊晶結構的新型SOI(AlN)基板。
2. 發展GaN-on-SOI(AlN) E-mode HEMT磊晶結構與元件,以此為基礎發展高耐壓HEMT磊晶結構,並佈局專利。
3. 發展低損傷閘極掘入式 E-mode HEMT製程,達成低漏電、高臨限電壓E-mode製程平台。
4. 發展具備高動態穩定度GaN-on-SOI(AlN) E-mode HEMT磊晶結構與元件,驗證GaN-on-SOI(AlN) E-mode HEMT磊晶技術的開發。