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計畫名稱:氟化鈣污泥研製中孔洞吸附材料處理三甲基矽胺及反應設備開發計畫

申請機構:聯華電子股份有限公司

學研機構:國立宜蘭大學

計畫執行期程:105/05/01~106/04/30

計畫摘要
有關本計畫目標乃因半導體製程產生大量氟化鈣污泥,現行處置方法為委託水泥廠或磚廠充當添加料再利用;且半導體製程亦產生大量VOCs廢氣,現行處理方式係採用沸石吸附濃縮焚化處理,但沸石使用壽命有限,需定期更換。因此,本計畫旨於探討使用氟化鈣污泥研製成中孔洞材料與觸媒,替代沸石材料,達到在廠內以廢治廢的效益。而本計畫之成果亮點在於所設計之研製多孔性材料與觸媒處理VOCs廢氣系統屬創新設計之技術,可回收CaF2降低採購觸媒成本及反應器設置成本,達到節省能源方式處理VOCs,建議採用觸媒反應搭配光阻劑HMDS前處理設備,延長處理設備清洗時間及提升處理能力。同時亦可發展一套操作簡易、成本低、設備精簡的污染控制設備,並供半導體業者在防制設 備選擇上之參考。此外,對於本計畫所開發技術研究成功後,對空氣污染防治頗具競爭力;本技術在國內環保界上尚屬前瞻性技術,預期聯華電子公司於幾年度應可回收成本,且其所開發技術對公司未來收益有相當助益。