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計畫名稱:六吋矽基板疊接式增強型功率元件關鍵製程及特性研究

申請機構:廣鎵光電股份有限公司

學研機構:長庚大學

計畫執行期程:103.9.1-104.8.31

計畫摘要
本計畫將結合企業與學術單位的經驗與能力,利用堆疊式(cascode)架構堆疊GaN HEMT 和 Si FET,開發高電流與高崩潰電壓的增強型氮化鎵功率元件,此計畫包括磊晶層的設計、功率元件佈局的最佳化設計、關鍵製程的開發及元件特性分析等,以期最佳化產品的性能,最終研製出崩潰電壓600 V,最大電流12 A以及臨界電壓1.5 V規格的功率元件產品,這技術開發的成功將會吸引電源轉換器(inverter)等功率元件廠家來共襄盛舉,將此產品引入更多元化的產品應用,市場的開拓也能因此創造更多的商機,公司未來能朝更多元化的發展。