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計畫名稱:利用原子層沉積系統製備具背面鈍化與局部擴散之高效率太陽能電池

申請機構:台灣茂矽電子股份有限公司

學研機構:大葉大學

計畫執行期程:102/09/01~103/08/31

計畫摘要
該計畫由該公司之研發部門與對太陽能電池有豐富研究經驗的學研單位所帶領實驗室團隊攜手合作開發具有背面鈍化及局部擴散的高效率太陽能電池,該計畫執行以高頻電漿輔助化學氣相沉積(HF-PECVD)與原子層沉積(ALD)系統於矽晶圓(P、N-type)背面沉積各種鈍化層,比較其鈍化的效果,而將主軸放在於p-type單晶矽晶圓背面沉積SiO2/Al2O3/Cover layer的鈍化結構,並且利用一些挖洞的技術在鈍化的結構上開孔,將高濃度鋁原子擴散進入矽基板背部形成背電場(BSF)如圖,如此不但可以讓少數載子反彈至p-n界面亦能有效地降低元件背面的表面復合速率(SRV),以增加少數載子的生命週期(carrier lifetime),進而提升開路電壓(Voc)與短路電流(Jsc),最終使得電池的轉換效率比原來高出約1 %,將大幅提升單晶太陽電池在市場的競爭力。