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計畫名稱:四吋矽基板上AlGaN/GaN 高電子遷移率電晶體與高功率蕭特基二極體之研製

申請機構:新世紀光電股份有限公司

學研機構:國立成功大學(微電子工程研究所)

計畫執行期程:102年6月1日~103年5月31日

計畫摘要

本計畫的目的主要是在大尺寸矽基板上製作Schottky barrier diode與AlGaN/GaN高電子遷移率電晶體元件,主要進行項目包括4” patterned Si基板的製作與Schottky barrier diode和AlGaN/GaN高電子遷移率電晶體元件的設計與製作。本計畫將會採用氮化鋁/氮化鎵系列超晶格結構、直接成長氮化鋁銦鎵薄膜與圖形化的緩衝層等方式來進行實驗,以期能突破應力限制、在矽基板上成長出大於 2μm 的氮化鎵薄膜,預期將成長出高品質之氮化鎵電子元件磊晶片;並設計出Schottky barrier diode與AlGaN/GaN高電子遷移率電晶體元件,首先確認接面的蕭特基接觸電極特性,與歐姆接觸電極特性,以求能有較佳的街面特性,以便製作銷率的電子元件。最後在大尺寸矽基板上製作出元件,經由量測得知元件特性,並對直流特性與交流特性等做進一步的探討,以期能製造出低成本、高效率、高壽命的Schottky barrier diode和AlGaN/GaN高電子遷移率電晶體元件。 關鍵詞(Keywords):氮化鎵於矽基板(GaN on Si), 蕭特基二極體(Schottky barrier diode), 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體 (AlGaN/GaN HEMT)