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計畫名稱:1S1R交錯型雙極切換電阻式記憶體之開發

申請機構:華邦電子股份有限公司

學研機構:國立交通大學

計畫執行期程:100年5月1日至101年4月30日

計畫摘要
該公司已建立1S1R 基礎技術,現正嘗試利用Fab friendly (與半導體工業相容)的材料來進行1S1R量產化的研發,計劃以1S1R技術取代NAND Flash運用在資料儲存應用上。預期以1S1R技術取代NAND Flash運用在資料儲存應用上,在成本上會有很大的競爭力。預估未來至少可增加二億二千五百萬元的產值。