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計畫名稱:於矽晶圓成長氮化鎵磊晶膜用以研製高功率垂直式薄膜型藍光二極體

申請機構:台積固態照明股份有限公司

學研機構:國立成功大學

計畫執行期程:100年5月1日至101年4月30日

計畫摘要
該計畫利用於矽基板上的氮化鎵(GaN)磊晶層研製低成本高亮度藍紫光LED,成功開發節能照明發展之半導體技術,並實現新照明設備之普及且符合政府節能與環保之政策。