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計畫名稱:高散熱高良率垂直式藍光發光二極體技術開發

申請機構:廣鎵光電股份有限公司

學研機構:國立中興大學

計畫執行期程:100年5月1日至101年4月30日

計畫摘要
該計畫在藍寶石基板上製作圖案化犧牲層,用以成長氮化鎵磊晶膜並可降低晶格不匹配所造成之缺陷,因而增進LED發光效率。同時於氮化鎵磊晶膜上成長並製作LED元件後,轉移至高散熱之銅基板,再利用濕式蝕刻關鍵製程技術將圖案化犧牲層移除,藉此濕式蝕刻可分離氮化鎵磊晶膜與藍寶石基板,讓藍寶石基板可回收再利用,而達到生產成本降低。