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計畫名稱:高效率發光二極體磊晶結構開發

申請機構:廣鎵光電股份有限公司

學研機構:國立中興大學

計畫執行期程:101.5.1-102.4.30

計畫摘要
本計畫著重於進行磊晶缺陷密度與LED結構對於元件內部量子效率最佳化之研究,進而開發長效型高效率、高操作電流之LED產品。利用加入應力控制層於不同缺陷密度之氮化鎵模板上,開發出最佳的LED結構設計,用最少的成本來提升LED內部量子效率,優化後的LED結構,可提升元件的亮度。在本次計畫提出之技術,以成長應力控制層來降低磊晶膜應力、提升LED內部量子效率與減少生產成本為主要目標,應用於發展高效率/高亮度LED產品品質上,都有實質上的幫助。